A high efficiency light emitting diode (LED) with metal reflector and the
method of making the same is disclosed. The metal reflector is composed of
at least two layers with one transparent conductive layer and the other
highly reflective metal layer. The transparent conductive layer allows
most of the light passing through without absorption and then reflected
back by the highly reflective metal layer. The transparent conductive
layer is selected from one of the materials that have very little reaction
with highly reflective metal layer even in high temperature to avoid the
reflectivity degradation during the chip processing. With this at least
two layer metal reflector structure, the light emitting diode with
vertical current injection can be fabricated with very high yield.
Un diodo luminescente di alta efficienza (LED) con il riflettore del metallo ed il metodo di fabbricazione dello stesso è rilevato. Il riflettore del metallo si compone almeno di due strati con uno strato conduttivo trasparente e l'altro strato altamente riflettente del metallo. Lo strato conduttivo trasparente permette la maggior parte della luce che passa attraverso senza assorbimento ed allora riflessa indietro dallo strato altamente riflettente del metallo. Lo strato conduttivo trasparente è scelto da uno dei materiali che hanno reazione pochissima con lo strato altamente riflettente del metallo anche nella temperatura elevata per evitare la degradazione di riflettività durante l'elaborazione del circuito integrato. Con questa struttura del riflettore del metallo di almeno due strati, il diodo luminescente con l'iniezione corrente verticale può essere fabbricato con rendimento molto alto.
