An HBT having an InP collector, a GaAsSb base and an InP emitter in which
the base is constructed using a thin layer of GaAsSb. The thin base layer
can be constructed of a GaAsSb material with a composition having a bulk
lattice constant that matches the bulk lattice constant of the material of
the collector. The thickness of the GaAsSb base layer is less than 49 nm,
and preferably less that about 20 nm. Alternatively, the thin base layer
is of a GaAsSb composition that includes a higher As content, resulting in
a low conduction band energy discontinuity at the emitter-base junction.
Such a GaAsSb base layer has a lattice constant that conforms to the
lattice constant of the collector because it is thinly grown so as to be
pseudomorphically "strained" over the collector. A high base doping level
is used to reduce the sheet resistivity and lower the base series
resistance that results from the thinly grown base layer.
Um HBT que tem um coletor do InP, uma base de GaAsSb e um emissor do InP em que a base é construída usando uma camada fina de GaAsSb. A camada baixa fina pode ser construída de um material de GaAsSb com uma composição que tem uma constante maioria do lattice que combine a constante maioria do lattice do material do coletor. A espessura da camada baixa de GaAsSb é menos de 49 nm, e preferivelmente menos que aproximadamente 20 nm. Alternativamente, a camada baixa fina é de uma composição de GaAsSb que inclua um mais elevado como o índice, tendo por resultado uma descontinuidade baixa da energia da faixa de condução na junção da emissor-base. Uma camada tão baixa de GaAsSb tem uma constante do lattice que se conforme à constante do lattice do coletor porque é crescido fina para "ser esticado pseudomorphically" sobre o coletor. Um nível doping baixo elevado é usado reduzir o resistivity da folha e mais baixo a resistência baixa da série essa resultados da camada baixa fina crescida.
