A method and structure for a non-volatile magnetic random access memory
(MRAM) device that has a stable magnetic electrode, an oxide layer
adjacent the stable magnetic electrode, and a free magnetic electrode. The
oxide layer is between the stable magnetic electrode and the free magnetic
electrode. In the invention, a conductor is connected to a stable magnetic
electrode. The oxide layer has a resistance at levels to allow sufficient
power dissipation to lower the anisotropy of the free magnetic electrode
through current induced heating. Current-induced heating is used in
combination with spin-transfer torque or a magnetic field to switch the
free magnetic electrode.
Μια μέθοδος και μια δομή για μια αμετάβλητη μαγνητική τυχαία συσκευή μνήμης πρόσβασης (MRAM) που έχει ένα σταθερό μαγνητικό ηλεκτρόδιο, ένα στρώμα οξειδίων δίπλα στο σταθερό μαγνητικό ηλεκτρόδιο, και ένα ελεύθερο μαγνητικό ηλεκτρόδιο. Το στρώμα οξειδίων είναι μεταξύ του σταθερού μαγνητικού ηλεκτροδίου και του ελεύθερου μαγνητικού ηλεκτροδίου. Στην εφεύρεση, ένας αγωγός συνδέεται με ένα σταθερό μαγνητικό ηλεκτρόδιο. Το στρώμα οξειδίων έχει μια αντίσταση σε επίπεδα για να επιτρέψει στον ικανοποιητικό διασκεδασμό δύναμης για να χαμηλώσει την ανισοτροπία του ελεύθερου μαγνητικού ηλεκτροδίου μέσω προκληθείσας της ρεύμα θέρμανσης. Η τρέχων-προκληθείσα θέρμανση χρησιμοποιείται σε συνδυασμό με τη ροπή περιστροφή-μεταφοράς ή ένα μαγνητικό πεδίο για να μεταστρέψει το ελεύθερο μαγνητικό ηλεκτρόδιο.
