A resistive memory device (40) and method of manufacturing thereof
including magnetic memory cells (14) having a second magnetic layer (20)
including at least a first and second material (24/26). The Curie
temperature of the second material (26) is lower than the Curie
temperature of the first material (24). A plurality of non-continuous
second conductive lines (22) are disposed over the magnetic memory cells
(14). A current (28) may be run through the second conductive lines (22)
to increase the temperature of the second material (26) to a temperature
greater than the second material (26) Curie temperature, causing the
second material (26) to lose its ferromagnetic properties, providing
increased write selectivity to the memory array (40).
Ein widerstrebendes größtintegriertes Speicherbauelement (40) und Methode der Produktion davon einschließlich die magnetischen Speicherzellen (14), die eine zweite magnetische Schicht (20) haben, mindestens ein erstes und zweites Material (24/26) einzuschließen. Die Curietemperatur des zweiten Materials (26) ist niedriger als die Curietemperatur des ersten Materials (24). Eine Mehrzahl der unzusammenhängenden zweiten leitenden Linien (22) werden über den magnetischen Speicherzellen (14) abgeschaffen. Gegenwärtiges (28) können durch die zweiten leitenden Linien laufen gelassen werden (22), um die Temperatur des zweiten Materials (26) auf eine Temperatur zu erhöhen, die grösser ist, als die zweite Material (26) Curietemperatur, das zweite Material (26) veranlassend, seine ferromagnetischen Eigenschaften, das Zur Verfügung stellen zu verlieren erhöht Selektivität zur Gedächtnisreihe (40) schreiben.
