A method of fabricating a nano-scale resistance cross-point memory array
includes preparing a silicon substrate; depositing silicon oxide on the
substrate to a predetermined thickness; forming a nano-scale trench in the
silicon oxide; depositing a first connection line in the trench;
depositing a memory resistor layer in the trench on the first connection
line; depositing a second connection line in the trench on the memory
resistor layer; and completing the memory array. A cross-point memory
array includes a silicon substrate; a first connection line formed on the
substrate; a colossal magnetoresistive layer formed on the first
connection line; a silicon nitride layer formed on a portion of the
colossal magnetoresistive layer; and a second connection line formed
adjacent the silicon nitride layer and on the colossal magnetoresistive
layer.
Une méthode de fabriquer une rangée de mémoire de croisement de résistance de nano-scale inclut préparer un substrat de silicium ; oxyde déposant de silicium sur le substrat à une épaisseur prédéterminée ; formation d'un fossé de nano-scale dans l'oxyde de silicium ; en déposant un premier raccordement rayez dans le fossé ; en déposant une résistance de mémoire posez dans le fossé sur la première ligne de raccordement ; en déposant un deuxième raccordement rayez dans le fossé sur la couche de résistance de mémoire ; et accomplissant la rangée de mémoire. Une rangée de mémoire de croisement inclut un substrat de silicium ; une première ligne de raccordement a formé sur le substrat ; une couche magnétorésistante colossale a formé sur la première ligne de raccordement ; une couche de nitrure de silicium a formé sur une partie de la couche magnétorésistante colossale ; et une deuxième ligne de raccordement a formé adjacent la couche de nitrure de silicium et sur la couche magnétorésistante colossale.
