Method and structure for low-k dielectric constant applications

   
   

The present invention provides a low-k dielectric constant structure and method of forming the same on a substrate 10 that features having a dielectric layer 20 with differing regions of density 12 and 18. To that end, the method includes depositing, upon the substrate, a dielectric layer having first and second density regions. The density associated with the second density region being greater than the density associated with the first density region, and the first density region being disposed between the substrate and the second density region.

Присытствыющий вымысел обеспечивает nizkie-k структуру диэлектрической константы и метод формировать эти же на субстрате 10 характеристики имея диэлектрический слой 20 с отличая зонами плотности 12 и 18. To that end, метод вклюает депозировать, на субстрате, диэлектрический слой имея сперва и вторые зоны плотности. Плотность связала при вторая зона плотности greater than плотностью связанной с первой зоной плотности, и первая зона плотности будучи размещанной между субстратом и второй зоной плотности.

 
Web www.patentalert.com

< Wavelength-selective photonics device

< Method of fabricating a trench-structure capacitor device

> Method for vapor deposition of a metal compound film

> Semiconductor memory device capable of preventing oxidation of plug and method for fabricating the same

~ 00124