Method for vapor deposition of a metal compound film

   
   

A method for forming a metal compound film includes alternate irradiation of an organometal compound and oxygen or nitrogen radicals to deposit monoatomic layers of the metal compound. The organometal compound includes zirconium, hafnium, lanthanide compounds. The resultant film includes little residual carbon and has excellent film characteristic with respect to leakage current.

Метод для формировать пленку смеси металла вклюает другое облучение смеси organometal и радикалов кислорода или азота для того чтобы депозировать monoatomic слои смеси металла. Смесь organometal вклюает цирконий, гафний, смеси лантаноида. Возникающая пленка вклюает меньший остаточный углерод и имеет превосходную пленку характерную по отношению к течению утечки.

 
Web www.patentalert.com

< Method of fabricating a trench-structure capacitor device

< Method and structure for low-k dielectric constant applications

> Semiconductor memory device capable of preventing oxidation of plug and method for fabricating the same

> Tri-gate devices and methods of fabrication

~ 00157