A semiconductor device and a fabrication method thereof provides a plug
structure composed of a diffusion barrier layer formed at the bottom and
on the sides of a contact hole and an oxidation barrier layer formed on
the diffusion barrier layer that fills up the inside of the contact hole.
This invention prevents contact resistance of a bottom electrode and a
plug from increasing as well as implementing high-speed operation and
improving the reliability of the semiconductor device.
Un dispositivo de semiconductor y un método de la fabricación de eso proporciona una estructura del enchufe integrada por una capa de barrera de difusión formada en el fondo y en los lados de un agujero del contacto y de una capa de barrera de la oxidación formados en la capa de barrera de difusión que llena para arriba el interior del agujero del contacto. Esta invención evita que la resistencia del contacto de un electrodo de tierra y de un enchufe aumente así como poner la operación en ejecucio'n de alta velocidad y mejorar la confiabilidad del dispositivo de semiconductor.
