A method of forming a semiconductor device includes the following steps:
providing a plurality of semiconductor layers; providing means for
coupling signals to and/or from layers of the device; providing a layer of
quantum dots disposed between adjacent layers of the device; and providing
an auxiliary layer disposed in one of the adjacent layers, and spaced from
the layer of quantum dots, the auxiliary layer being operative to
communicate carriers with the layer of quantum dots.
Eine Methode der Formung eines Halbleiterelements schließt die folgenden Schritte ein: Zur Verfügung stellen einer Mehrzahl der Halbleiterschichten; Mittel für Koppelsignale und/oder von zu den Schichten der Vorrichtung zur Verfügung stellen; das Zur Verfügung stellen einer Schicht Quantenpunkte schuf zwischen angrenzenden Schichten der Vorrichtung ab; und eine zusätzliche Schicht zur Verfügung stellend, die in einer der angrenzenden Schichten abgeschaffen wird und von der Schicht der Quantenpunkte gesperrt ist, punktiert die zusätzliche Schicht, die wirksam ist, Fördermaschinen mit der Schicht der Menge zu verständigen.
