A method for fabricating an optical switch array comprising the steps:
providing a two side polished lightly dope (110) silicon substrate;
forming a heavily doped layer with a same type impurity as the (110)
silicon substrate on the back side of the (110) silicon substrate; growing
a lightly doped epitaxial layer on the back side of the (110) silicon
substrate; converting the heavily dope layer into a porous silicon layer
by anodization in HF solution; forming a plurality of microchannels on the
front side of the (110) silicon substrate so that each makes a 135 or 45
degree angle to a (111) crystal plane vertical to the surface of the (110)
silicon substrate; converting the porous silicon layer into an oxidized
porous silicon layer by thermal oxidization; forming electrical
interconnections on the front side of the (110) silicon substrate; forming
a plurality of (111) silicon planar plates each having two opposite sides
made of (111) silicon crystal planes on the front side of the (110)
silicon substrate by anisotropic etching; coating the two opposite
surfaces of the (111) silicon planar plates with a reflection layer;
removing the oxidized porous silicon by etching in a diluted HF solution
to form a plurality of silicon stripes; filling said microchannels and the
trenches formed in the etching process with photoresist; bonding a rigid
plate to the (110) silicon substrate at the back side; and cutting the
(110) silicon substrate b a dicing saw machine so that each (111) silicon
planar plate and its supporting silicon strip a laterally separated from
the (110) silicon substrate completely.
Μια μέθοδος για μια οπτική σειρά διακοπτών που περιλαμβάνει τα βήματα: η παροχή μιας πλευράς δύο γυάλισε ελαφριά το υπόστρωμα πυριτίου ναρκωτικών ουσιών (110) διαμορφώνοντας ένα βαριά ναρκωμένο στρώμα με μια ίδια ακαθαρσία τύπων με το (110) υπόστρωμα πυριτίου στην πίσω πλευρά του (110) υποστρώματος πυριτίου ανάπτυξη ενός ελαφριά ναρκωμένου κρυσταλλικού στρώματος στην πίσω πλευρά του (110) υποστρώματος πυριτίου να μετατρέψει το βαριά στρώμα ναρκωτικών ουσιών σε ένα πορώδες στρώμα πυριτίου από anodization στη λύση HF διαμόρφωση μιας πολλαπλότητας microchannels στη μπροστινή πλευρά του (110) υποστρώματος πυριτίου έτσι ώστε κάθε ένας κάνει μια γωνία 135 ή 45 βαθμού σε μια (111) κατακόρυφο αεροπλάνων κρυστάλλου στην επιφάνεια του (110) υποστρώματος πυριτίου μετατροπή του πορώδους στρώματος πυριτίου σε ένα οξειδωμένο πορώδες στρώμα πυριτίου από τη θερμική οξείδωση διαμόρφωση των ηλεκτρικών διασυνδέσεων στη μπροστινή πλευρά του (110) υποστρώματος πυριτίου διαμορφώνοντας μια πολλαπλότητα (111) των επίπεδων πιάτων πυριτίου κάθε μια που έχει δύο αντίθετες πλευρές φιαγμένες από (111) αεροπλάνα κρυστάλλου πυριτίου στη μπροστινή πλευρά του (110) υποστρώματος πυριτίου από την ανισότροπη χαρακτική επένδυση των δύο αντίθετων επιφανειών των (111) επίπεδων πιάτων πυριτίου με ένα στρώμα αντανάκλασης αφαίρεση του οξειδωμένου πορώδους πυριτίου με τη χάραξη σε μια αραιωμένη λύση HF για να διαμορφώσει μια πολλαπλότητα των λωρίδων πυριτίου η πλήρωση είπε microchannels και τις τάφρους που διαμορφώθηκαν στη διαδικασία χαρακτικής με photoresist σύνδεση ενός άκαμπτου πιάτου με το (110) υπόστρωμα πυριτίου στην πίσω πλευρά και κόβοντας το (110) υπόστρωμα β πυριτίου ένας χωρισμός σε τετράγωνα εβλέίδε τη μηχανή έτσι ώστε κάθε (111) επίπεδο πιάτο πυριτίου και η ενισχυτική λουρίδα πυριτίου του πλευρικά χωρισμένος από το (110) υπόστρωμα πυριτίου εντελώς.
