The present invention is generally directed to various methods of
processing substrates based upon the substrate orientation. In one
embodiment, the method comprises determining a defective die pattern of a
process tool based upon an orientation of a semiconducting substrate in
the tool during processing operations, positioning at least one
subsequently processed semiconducting substrate in the process tool at an
orientation selected to minimize defective die produced by the process
tool, the selected orientation being based upon the determined defective
die pattern of the process tool, and performing processing operations in
the process tool on at least one subsequently processed substrate while at
least one substrate is positioned in the process tool at the selected
orientation. In another illustrative embodiment, the method comprises
providing a plurality of semiconducting substrates to a processing tool,
positioning each of the substrates within the tool at a selected
orientation such that at least one electrical performance characteristic
of at least one device formed on each of the substrates is optimized when
a process operation is performed thereon in the process tool, and
performing the processing operation on each of the substrates in the tool
while each of the substrates is positioned at the selected orientation.
De onderhavige uitvinding wordt over het algemeen geleid aan diverse methodes om substraten te verwerken die op de substraatrichtlijn worden gebaseerd. In één belichaming, bestaat de methode uit het bepalen van een gebrekkig matrijzenpatroon van een proceshulpmiddel dat op een richtlijn van een semiconducting substraat in het hulpmiddel dat tijdens verwerkingsverrichtingen wordt, minstens één later verwerkt semiconducting substraat in het proceshulpmiddel plaatst bij een richtlijn die wordt geselecteerd gebaseerd om gebrekkige matrijs te minimaliseren die door het proceshulpmiddel wordt geproduceerd, de geselecteerde richtlijn die op het bepaalde gebrekkige matrijzenpatroon wordt gebaseerd van het proceshulpmiddel, en verwerkingshandelingen in het proceshulpmiddel uitvoert op minstens één later verwerkt substraat terwijl minstens één substraat in het proceshulpmiddel bij de geselecteerde richtlijn wordt geplaatst. In een andere illustratieve belichaming, bestaat de methode uit het verstrekken van een meerderheid van semiconducting substraten aan een verwerkingshulpmiddel, dat elk van de substraten plaatst binnen het hulpmiddel bij een geselecteerde richtlijn dusdanig dat minstens één elektroprestatieskenmerk van minstens één apparaat dat op elk van de substraten wordt gevormd wanneer een proceshandeling daarop in het proceshulpmiddel wordt uitgevoerd, en uitvoerend de verwerkingshandeling op elk van de substraten in het hulpmiddel wordt geoptimaliseerd terwijl elk van de substraten bij de geselecteerde richtlijn wordt geplaatst.
