A method of processing a semiconductor device is provided with several
steps, including the step of generating plasma in a processing chamber to
form or process a thin firm on a semiconductor device. The step of
scanning, through a window, intensity modulated laser beam, which is
modulated at a desired frequency inside the processing chamber where the
semiconductor device is being processed. The step of receiving by a sensor
through the window a back scattered light being scattered from fine
particles suspended in the processing chamber by the scanning laser and
detecting the desired frequency component from a signal outputted from the
sensor. From the detected frequency component information relating to
quantity, size, and distribution of the fine particles illuminated by the
laser beam inside the processing chamber is obtained. This information is
then outputted.
Um método de processar um dispositivo de semicondutor é fornecido com diversas etapas, including a etapa de gerar o plasma em uma câmara processando ao formulário ou processa uma firma fina em um dispositivo de semicondutor. A etapa da exploração, através de uma janela, intensidade modulou o feixe de laser, que é modulado em uma freqüência desejada dentro da câmara processando onde o dispositivo de semicondutor está sendo processado. A etapa de receber por um sensor através da janela uma luz para trás dispersada que está sendo dispersada das partículas finas suspendidas na câmara processando pelo laser da exploração e detectando o componente desejado da freqüência de um sinal outputted do sensor. Da informação componente detectada da freqüência que relaciona-se à quantidade, o tamanho, e a distribuição das partículas finas iluminadas pelo feixe de laser dentro da câmara processando são obtidos. Esta informação é outputted então.
