Structures and methods for DEAPROM memory with low tunnel barrier intergate
insulators are provided. The DEAPROM memory includes a first source/drain
region and a second source/drain region separated by a channel region in a
substrate. A floating gate opposes the channel region and is separated
therefrom by a gate oxide. A control gate opposes the floating gate. The
control gate is separated from the floating gate by a low tunnel barrier
intergate insulator having a tunnel barrier of less than 1.5 eV. The low
tunnel barrier intergate insulator includes a metal oxide insulator
selected from the group consisting of NiO, Al.sub.2 O.sub.3, Ta.sub.2
O.sub.5, TiO.sub.2, ZrO.sub.2, Nb.sub.2 O.sub.5, Y.sub.2 O.sub.3, Gd.sub.2
O.sub.3, SrBi.sub.2 Ta.sub.2 O.sub.3, SrTiO.sub.3, PbTiO.sub.3, and
PbZrO.sub.3. The floating gate includes a polysilicon floating gate having
a metal layer formed thereon in contact with the low tunnel barrier
intergate insulator. And, the control gate includes a polysilicon control
gate having a metal layer formed thereon in contact with the low tunnel
barrier intergate insulator.
Le strutture ed i metodi per la memoria di DEAPROM con gli isolanti bassi del intergate della barriera del traforo sono forniti. La memoria di DEAPROM include una prima regione di source/drain e una seconda regione di source/drain separate da una regione della scanalatura in un substrato. Un cancello di galleggiante oppone la regione della scanalatura ed è separato da ciò da un ossido del cancello. Un cancello di controllo oppone il cancello di galleggiante. Il cancello di controllo è separato dal cancello di galleggiante da un isolante basso del intergate della barriera del traforo che ha una barriera del traforo più meno di eV di 1.5. L'isolante basso del intergate della barriera del traforo include un isolante dell'ossido di metallo scelto dal gruppo che consiste di NiO, di Al.sub.2 O.sub.3, di Ta.sub.2 O.sub.5, di TiO.sub.2, di ZrO.sub.2, di Nb.sub.2 O.sub.5, di Y.sub.2 O.sub.3, di Gd.sub.2 O.sub.3, di SrBi.sub.2 Ta.sub.2 O.sub.3, di SrTiO.sub.3, di PbTiO.sub.3 e di PbZrO.sub.3. Il cancello di galleggiante include un cancello di galleggiante del polysilicon che ha uno strato del metallo formato su ciò in contatto con l'isolante basso del intergate della barriera del traforo. E, il cancello di controllo include un cancello di controllo del polysilicon che ha uno strato del metallo formato su ciò in contatto con l'isolante basso del intergate della barriera del traforo.
