In a semiconductor laser device including having an index-guided structure
and oscillating in a fundamental transverse mode, a lower cladding layer,
a lower optical waveguide layer, a quantum well layer, an upper optical
waveguide layer, and a current confinement structure are formed in this
order. The thickness of the upper optical waveguide layer is smaller than
the thickness of the lower optical waveguide layer. In addition, the sum
of the thicknesses of the upper and lower optical waveguide layers may be
0.5 micrometers or greater. Further, the distance between the bottom of
the current confinement structure and the upper surface of the quantum
well layer may be smaller than 0.25 micrometers.
Σε μια συσκευή λέιζερ ημιαγωγών συμπεριλαμβανομένης της κατοχής μιας δείκτης-καθοδηγημένης δομής και της ταλάντευσης σε έναν θεμελιώδη εγκάρσιο τρόπο, ένα χαμηλότερο στρώμα επένδυσης, ένα χαμηλότερο οπτικό στρώμα κυματοδηγού, ένα κβαντικό καλά στρώμα, ένα ανώτερο οπτικό στρώμα κυματοδηγού, και μια τρέχουσα δομή περιορισμού διαμορφώνονται σε αυτήν την διαταγή. Το πάχος του ανώτερου οπτικού στρώματος κυματοδηγού είναι μικρότερο από το πάχος του χαμηλότερου οπτικού στρώματος κυματοδηγού. Επιπλέον, το ποσό των παχών των ανώτερων και χαμηλότερων οπτικών στρωμάτων κυματοδηγού μπορεί να είναι 0,5 μικρόμετρα ή μεγαλύτερο. Περαιτέρω, η απόσταση μεταξύ του κατώτατου σημείου της τρέχουσας δομής περιορισμού και η ανώτερη επιφάνεια του κβαντικού καλά στρώματος μπορούν να είναι μικρότερες από 0,25 μικρόμετρα.
