Heat diffusion preventing film is formed on the cleavage plane of a
semiconductor laser, and thin film comprising a low melting point
material, such as indium, is formed on top on the heat diffusion
preventing film. When irradiated by the laser light emitted from the
semiconductor laser and heated, the irradiated area of the thin film
changes in state from crystalline to amorphous and forms a small light
transmitting area. Near field light passes through this light transmitting
area. The near field light generating device of the present invention uses
a simple construction as described above, and complex adjustment is not
required. In addition, problems such as laser oscillation failure do not
occur.
Пленка диффузии жары предотвращая сформирована на плоскости расщепления лазера полупроводника, и тонкая пленка состоя из низкого материала точки плавления, such as индий, сформирована на верхней части на пленке диффузии жары предотвращая. После того как я облучана нагретым светом лазера испущенным от лазера полупроводника и, облученная зона тонкой пленки изменяет в положении от кристаллического к аморфическому и формирует зону малого света передавая. Около поля свет проходит через эту светлую передавая область. Приспособление близкого поля светлое производя присытствыющего вымысла использует просто конструкцию как описано выше, и сложная регулировка необходима. In addition, проблемы such as отказ колебания лазера не происходят.
