A semiconductor optical component is disclosed which includes a
semiconductor material confinement layer containing acceptor dopants such
that the doping is p-type doping. The confinement layer is deposited on
another semiconductor layer and defines a plane parallel to the other
semiconductor layer. Furthermore, the p-type doping concentration of the
confinement layer has at least one gradient significantly different from
zero in one direction in the plane. A method of fabricating the component
is also disclosed.
Een halfgeleider optische component wordt onthuld die een laag die van de halfgeleider materiële beperking acceptoradditieven bevat omvat dusdanig dat het smeren p-type het smeren is. De beperkingslaag wordt gedeponeerd op een andere halfgeleiderlaag en bepaalt een vliegtuig parallel met de andere halfgeleiderlaag. Voorts heeft smeert het p-type dat concentratie van de beperkingslaag minstens één gradiënt beduidend verschillend van nul in één richting in het vliegtuig. Een methode om de component wordt te vervaardigen ook onthuld.
