A Mask ROM and a method for fabricating the same are described. The Mask
ROM comprises a substrate, a plurality of gates on the substrate, a gate
oxide layer between the gates and the substrate, a plurality of buried bit
lines in the substrate between the gates, an insulator on the buried bit
lines and between the gates, a plurality of word lines each disposed over
a row of gates perpendicular to the buried bit lines, and a coding layer
between the word lines and the gates.
Ein Schablone ROM und eine Methode für das Fabrizieren dasselbe werden beschrieben. Das Schablone ROM enthält ein Substrat, eine Mehrzahl der Gatter auf dem Substrat, eine Gatteroxidschicht zwischen den Gattern und dem Substrat, eine Mehrzahl der begrabenen Spitze Linien im Substrat zwischen den Gattern, einer Isolierung auf den begrabenen Spitze Linien und zwischen den Gattern, einer Mehrzahl der Wortlinien jede, die über einer Reihe der Gatter abgeschaffen wird, die zu den begrabenen Spitze Linien senkrecht sind, und einer Kodierungschicht zwischen den Wortlinien und den Gattern.
