Device with recessed thin and thick spacers for improved salicide resistance on polysilicon gates

   
   

A method and device for improved salicide resistance in polysilicon gates under 0.20 .mu.m. The several embodiments of the invention provide for formation of gate electrode structures with recessed and partially recessed spacers. One embodiment, provides a gate electrode structure with recessed thick inner spacers and thick outer spacers. Another embodiment provides a gate electrode structure with recessed thin inner spacers and recessed thick outer spacers. Another embodiment provides a gate electrode structure with thin inner spacers and partially recessed outer spacers. Another embodiment provides a gate electrode structure with two spacer stacks. The outermost spacer stack with recessed thin inner spacers and recessed thick outer spacers. The inner spacer stack with thin inner spacers and thin outer spacers. Another embodiment provides a gate electrode structure with two spacer stacks. The outermost spacer stack with recessed thin inner spacers and recessed thick outer spacers. The inner spacer stack with recessed thin inner spacers and recessed thin outer spacers.

Μια μέθοδος και μια συσκευή για τη βελτιωμένη αντίσταση salicide στις πύλες πολυπυρίτιων κάτω από 0,20 μu.μ. Οι διάφορες ενσωματώσεις της εφεύρεσης προβλέπουν το σχηματισμό των δομών ηλεκτροδίων πυλών με τα τοποθετημένα και μερικώς τοποθετημένα πλήκτρα διαστήματος. Μια ενσωμάτωση, παρέχει σε μια δομή ηλεκτροδίων πυλών τα τοποθετημένα παχιά εσωτερικά πλήκτρα διαστήματος και τα παχιά εξωτερικά πλήκτρα διαστήματος. Μια άλλη ενσωμάτωση παρέχει σε μια δομή ηλεκτροδίων πυλών τα τοποθετημένα λεπτά εσωτερικά πλήκτρα διαστήματος και τα τοποθετημένα παχιά εξωτερικά πλήκτρα διαστήματος. Μια άλλη ενσωμάτωση παρέχει σε μια δομή ηλεκτροδίων πυλών τα λεπτά εσωτερικά πλήκτρα διαστήματος και τα μερικώς τοποθετημένα εξωτερικά πλήκτρα διαστήματος. Μια άλλη ενσωμάτωση παρέχει σε μια δομή ηλεκτροδίων πυλών δύο σωρούς πλήκτρων διαστήματος. Ο πιο ακραίος σωρός πλήκτρων διαστήματος με τα τοποθετημένα λεπτά εσωτερικά πλήκτρα διαστήματος και τα τοποθετημένα παχιά εξωτερικά πλήκτρα διαστήματος. Ο εσωτερικός σωρός πλήκτρων διαστήματος με τα λεπτά εσωτερικά πλήκτρα διαστήματος και τα λεπτά εξωτερικά πλήκτρα διαστήματος. Μια άλλη ενσωμάτωση παρέχει σε μια δομή ηλεκτροδίων πυλών δύο σωρούς πλήκτρων διαστήματος. Ο πιο ακραίος σωρός πλήκτρων διαστήματος με τα τοποθετημένα λεπτά εσωτερικά πλήκτρα διαστήματος και τα τοποθετημένα παχιά εξωτερικά πλήκτρα διαστήματος. Ο εσωτερικός σωρός πλήκτρων διαστήματος με τα τοποθετημένα λεπτά εσωτερικά πλήκτρα διαστήματος και τα τοποθετημένα λεπτά εξωτερικά πλήκτρα διαστήματος.

 
Web www.patentalert.com

< CMOS devices hardened against total dose radiation effects

< Device structure and method for reducing silicide encroachment

> Mask ROM structure having a coding layer between gates and word lines

> Methods for producing packaged integrated circuit devices & packaged integrated circuit devices produced thereby

~ 00125