In a power management semiconductor device or analog semiconductor device
having a CMOS and a resistor, a conductivity type of a gate electrode of
the CMOS is P-type as to both an NMOS and a PMOS, a short channel and a
low threshold voltage are possible since an E-type PMOS is surface channel
type, the short channel and the low threshold voltage are possible since a
buried channel type NMOS is extremely shallow for the reason that arsenic
having a small diffusion coefficient can be used as an impurity for
threshold control, and the resistor used in a voltage dividing circuit or
CR circuit is formed of polycrystalline silicon thinner than the
polycrystalline silicon of the same layer as the gate electrode or a thin
film metal. Thus, the power management semiconductor device or analog
semiconductor device, which is advantageous in terms of cost,
manufacturing period and element performance in comparison with the
conventional CMOS with an N+polycrystalline silicon gate single polarity
or the same polarity gate CMOS in which a channel and a gate electrode
have the same polarity, can be realized.
Em um dispositivo de semicondutor da gerência do poder ou no dispositivo de semicondutor análogo que têm um CMOS e um resistor, um tipo do conductivity de um elétrodo de porta do CMOS é P-tipo a respeito de um NMOS e um PMOS, uma canaleta curta e uma tensão baixa do ponto inicial são possíveis desde que um E-tipo PMOS é tipo de canaleta de superfície, a canaleta curta e a tensão baixa do ponto inicial é possível desde que um tipo de canaleta enterrado NMOS é extremamente raso para a razão que o arsênico que tem um coeficiente de difusão pequeno pode ser usado como uma impureza para o controle do ponto inicial, e o resistor usado em uma tensão que divide o circuito ou o circuito do CR é dado forma do diluidor polycrystalline do silicone do que o silicone polycrystalline dos mesma camada que o elétrodo de porta ou um metal da película fina. Assim, o dispositivo de semicondutor da gerência do poder ou o dispositivo de semicondutor análogo, que é vantajoso nos termos do custo, do período manufaturando e do desempenho do elemento em comparação com o CMOS convencional com polaridade da porta de silicone de N+polycrystalline uma única ou a mesma porta CMOS da polaridade em que uma canaleta e um elétrodo de porta têm a mesma polaridade, podem ser realizados.
