A ferroelectric or high dielectric constant capacitor having a multilayer
lower electrode comprising at least two layers--a platinum layer and a
platinum-rhodium layer--for use in a random access memory (RAM) cell. The
platinum layer of the lower electrode adjoins the capacitor dielectric,
which is a ferroelectric or high dielectric constant dielectric such as
BST, PZT, SBT or tantalum pentoxide. The platinum-rhodium layer serves as
an oxidation barrier and may also act as an adhesion layer for preventing
separation of the lower electrode from the substrate, thereby improving
capacitor performance. The multilayer electrode may have titanium and/or
titanium nitride layers under the platinum-rhodium layer for certain
applications. The capacitor has an upper electrode which may be a
conventional electrode or which may have a multilayer structure similar to
that of the lower electrode. Processes for manufacturing the multilayer
lower electrode and the capacitor are also disclosed.
Ένας σιδηροηλεκτρικός ή υψηλός πυκνωτής διηλεκτρικής σταθεράς που έχει ένα πολυστρωματικό χαμηλότερο ηλεκτρόδιο περιλαμβάνοντας τουλάχιστον δύο στρώματα -- ένα στρώμα λευκόχρυσου και ένα στρώμα λευκόχρυσος-ρόδιου -- για τη χρήση σε ένα τυχαίο κύτταρο μνήμης πρόσβασης (RAM). Το στρώμα λευκόχρυσου του χαμηλότερου ηλεκτροδίου γειτονεύει με τον πυκνωτή διηλεκτρικό, ο οποίος είναι μια σιδηροηλεκτρική ή υψηλή διηλεκτρική σταθερά διηλεκτρική όπως pentoxide ΒΣΤ, PZT, SBT ή τανταλίου. Το στρώμα λευκόχρυσος-ρόδιου χρησιμεύει ως ένα εμπόδιο οξείδωσης και μπορεί επίσης να ενεργήσει ως στρώμα προσκόλλησης για την παρεμπόδιση του χωρισμού του χαμηλότερου ηλεκτροδίου από το υπόστρωμα, με αυτόν τον τρόπο βελτιώνοντας την απόδοση πυκνωτών. Το πολυστρωματικό ηλεκτρόδιο μπορεί να έχει τα στρώματα τιτανίου ή/και νιτριδίων τιτανίου κάτω από το στρώμα λευκόχρυσος-ρόδιου για ορισμένες εφαρμογές. Ο πυκνωτής έχει ένα ανώτερο ηλεκτρόδιο που μπορεί να είναι ένα συμβατικό ηλεκτρόδιο ή που μπορεί να έχει μια πολυστρωματική δομή παρόμοια με αυτήν του χαμηλότερου ηλεκτροδίου. Οι διαδικασίες για το πολυστρωματικό χαμηλότερο ηλεκτρόδιο και τον πυκνωτή αποκαλύπτονται επίσης.
