The semiconductor device having the capacitor comprises a plurality of
switching elements formed on a semiconductor substrate 1 at a distance, a
plurality of capacitors formed in areas between a plurality of switching
elements formed in the first direction respectively and each having a
lower electrode, a dielectric film and an upper electrode, first wirings
for connecting the upper electrodes of the capacitors and the switching
elements in the first direction on a one-by-one base, and second wirings
formed over a part of the first wirings, the switching elements, and the
capacitors to extend in the second direction that intersects with the
first direction. Accordingly, the higher speed operation than the prior
art can be achieved.
Il dispositivo a semiconduttore che ha il condensatore contiene una pluralità gli elementi di commutazione formati su un substrato 1 a semiconduttore ad una distanza, una pluralità di condensatori formati nelle zone fra una pluralità di elementi di commutazione formati nel primo senso rispettivamente e ciascuno che ha un elettrodo più basso, una pellicola dielettrica e un elettrodo superiore, i primi collegamenti per il collegamento gli elettrodi superiori dei condensatori e degli elementi di commutazione nel primo senso su una base una alla volta ed i secondi collegamenti formati sopra una parte dei primi collegamenti, degli elementi di commutazione e dei condensatori per estendersi nel secondo senso che interseca con il primo senso. Di conseguenza, l'più alto funzionamento di velocità che l'arte anteriore può essere realizzato.
