In a thin film transistor (TFT), a mask is formed on a gate electrode, and
a porous anodic oxide is formed in both sides of the gate electrode using
a relatively low voltage. A barrier anodic oxide is formed between the
gate electrode and the porous anodic oxide and on the gate electrode using
a relatively high voltage. A gate insulating film is etched using the
barrier anodic oxide as a mask. The porous anodic oxide is selectively
etched after etching barrier anodic oxide, to obtain a region of an active
layer on which the gate insulating film is formed and the other region of
the active layer on which the gate insulating film is not formed. An
element including at least one of oxygen, nitrogen and carbon is
introduced into the region of the active layer at high concentration in
comparison with a concentration of the other region of the active layer.
Further, N- or P-type impurity is introduced into the active layer.
Accordingly, high resistance impurity regions are formed in both sides of
a channel forming region.
Em um transistor da película fina (TFT), uma máscara é dada forma em um elétrodo de porta, e um óxido anodic poroso é dado forma em ambos os lados do elétrodo de porta usando uma tensão relativamente baixa. Um óxido anodic da barreira é dado forma entre o elétrodo de porta e o óxido anodic poroso e no elétrodo de porta usando um relativamente de alta tensão. Uma película isolando da porta é gravada usando o óxido anodic da barreira como uma máscara. O óxido anodic poroso é gravado seletivamente após o óxido anodic da barreira gravura a água-forte, para obter uma região de uma camada ativa em que a película isolando da porta é dada forma e a outra região da camada ativa em que a película isolando da porta não é dada forma. Um elemento including ao menos um do oxigênio, do nitrogênio e do carbono é introduzido na região da camada ativa na concentração elevada em comparação com uma concentração da outra região da camada ativa. Mais mais, o n ou o P-tipo impureza são introduzidos na camada ativa. Conformemente, as regiões elevadas da impureza da resistência são dadas forma em ambos os lados de uma canaleta que dá forma à região.
