An insulated-gate field-effect transistor adapted to be used in an
active-matrix liquid-crystal display. The channel length, or the distance
between the source region and the drain region, is made larger than the
length of the gate electrode taken in the longitudinal direction of the
channel. Offset regions are formed in the channel region on the sides of
the source and drain regions. No or very weak electric field is applied to
these offset regions from the gate electrode.
Un transistor de efecto de campo insulated-gate se adaptó para ser utilizado en una exhibición de cristal líquido de la activo-matriz. La longitud de canal, o la distancia entre la región de la fuente y la región del dren, se hace más grande que la longitud del electrodo de puerta tomado en la dirección longitudinal del canal. Las regiones compensadas se forman en la región del canal en los lados de la fuente y drenan regiones. No o el campo eléctrico muy débil se aplica a estas regiones compensadas del electrodo de puerta.
