By a solder bump, a CSP is bonded to a first electrode of the module
substrate of a multi-chip module. For this solder bump, a solder added
with an alkaline earth metal such as Ba, Be, Ca or Mg is used.
Accordingly, upon solder reflow, phosphorous (P) reacts with the alkaline
earth metal, thereby forming a P compound. Owing to dispersion of this P
compound inside of the solder bump, no P concentrated layer is formed on
the Ni film, making it possible to prevent peeling of the solder bump from
the first electrode upon solder reflow. Thus, the present invention makes
it possible to improve the solder bonding property.
Da un urto della saldatura, un CSP è legato ad un primo elettrodo del substrato del modulo di un modulo del multi-circuito integrato. Per questo urto della saldatura, una saldatura aggiunta con un metallo alcalino-terroso quale Ba, è, CA o il magnesio è usato. Di conseguenza, su reflow della saldatura, (p) fosforoso reagisce con il metallo alcalino-terroso, quindi formante un residuo di P. A causa di dispersione di questo residuo di P all'interno dell'urto della saldatura, nessuno strato concentrato P è formato sulla pellicola del Ni, permettente di impedire la sbucciatura dell'urto della saldatura il primo elettrodo su reflow della saldatura. Quindi, la presente invenzione permette di migliorare la proprietà di bonding della saldatura.