An MOS transistor in the surface of a semiconductor substrate (180) of a
first conductivity type, which has a grid of isolations (171) in the
surface, each grid unit surrounding a rectangular substrate island (102).
Each island contains two parallel regions of the opposite conductivity
type: one region (174) is operable as the transistor drain and the other
region (173) is operable as the transistor drain, each region abutting the
isolation. A transistor gate (105) is between the parallel regions,
completing the formation of a transistor. Electrical contacts (106) are
placed on the source region (173) so that the spacing (120) between each
contact and the adjacent isolation is at least twice as large as the
spacing (121) between each contact and the gate. A plurality of these
islands are interconnected to form a multi-finger MOS transistor. The
source contact spacings are selected to increase the failure threshold
current of the multi-finger MOS transistor by spreading the power
dissipation and thus reducing the current localization, whereby the
protection of the transistor against ESD pulses is improved.
Um transistor do MOS na superfície de uma carcaça do semicondutor (180) de um primeiro tipo do conductivity, que tenha uma grade das isolações (171) na superfície, cada unidade da grade que cerca um console retangular da carcaça (102). Cada console contem duas regiões paralelas do tipo oposto do conductivity: uma região (174) é operável porque o dreno do transistor e a outra região (173) são operáveis como o dreno do transistor, cada região que abutting a isolação. Uma porta do transistor (105) está entre as regiões paralelas, terminando a formação de um transistor. Os contatos elétricos (106) são colocados na região da fonte (173) de modo que o afastamento (120) entre cada contato e a isolação adjacente seja ao menos duas vezes mais grande que o afastamento (121) entre cada contato e a porta. Um plurality destes consoles é interconectado para dar forma a um transistor do MOS do multi-dedo. Os afastamentos do contato da fonte são selecionados para aumentar a corrente do ponto inicial da falha do transistor do MOS do multi-dedo espalhando a dissipação do poder e assim reduzindo o localization atual, por meio de que a proteção do transistor de encontro aos pulsos de ESD é melhorada.
