The present invention improves the resolution and accuracy of the presently
known two-dimensional position sensing detectors and delivers improved
performance in the 1.3 to 1.55 micron wavelength region. The present
invention is an array of semiconductor layers with four electrodes, the
illustrative embodiment comprising a semi-insulating substrate
semiconductor base covered by a semiconductor buffered layer, the buffered
layer further covered by a semiconductor absorption layer and the
absorption layer covered with a semiconductor layer. Four electrodes are
placed on this semiconductor array: two on the top layer parallel to each
other and near the ends of opposite edges, and two etched in the buffered
layer, parallel to each other and perpendicular to the first set. The
layers are doped as to make a p-n junction in the active area.
Substantially all the layers, excepting the semi-insulating substrate
layer, are uniformly resistive.
Присытствыющий вымысел улучшает разрешение и точность в настоящее время знанных плоских детекторов воспринимать положения и поставляет улучшенное представление в зоне длины волны от 1.3 до 1.55 микронов. Присытствыющим вымыслом будет блок слоев полупроводника с 4 электродами, иллюстративное воплощение состоя из семи-izoliru4 основания полупроводника субстрата предусматриванного слоем амортизированным полупроводником, амортизированным слоем более далее предусматриванным слоем абсорбциы полупроводника и слоем абсорбциы предусматриванными с слоем полупроводника. 4 электрода помещены на этом блоке полупроводника: 2 на верхнем слое parallel to each other и почти концы противоположных краев, и 2 вытравленные в амортизированном слое, parallel to each other и перпендикуляре к первому комплекту. Слои даны допинг о делают соединение p-n в активно области. Существенн все слои, excepting семи-izoliru4 слой субстрата, равномерно сопротивляющи.
