A transparent electrode is provided on a glass substrate, and an amorphous
silicon layer is provided on the transparent electrode. A nickel layer as
a metal catalyst element is provided in or so as to contact with the
surface of the amorphous silicon layer, followed by heat treatment to
crystallize the amorphous silicon layer, thereby forming a p-type
polycrystalline silicon layer. This polycrystalline silicon layer is
crystallographically oriented and has high crystallinity. The
polycrystalline silicon layer is used as a seed crystal to form a p-type
polycrystalline silicon layer which is crystallographically oriented and,
at the same time, has high crystallinity. Further, an i-type
polycrystalline silicon layer and an n-type polycrystalline silicon layer
are successively formed on the polycrystalline silicon layer. By virtue of
the above construction, a crystalline silicon thin film semiconductor
device, a crystalline silicon thin film photovoltaic device, and a process
for producing a crystalline silicon thin film semiconductor device can be
provided which can realize high crystallinity of polycrystalline silicon,
crystallographic orientation, high characteristics, and excellent
productivity.
Un electrodo transparente se proporciona en un substrato de cristal, y una capa amorfa del silicio se proporciona en el electrodo transparente. Una capa del níquel como elemento del catalizador del metal se proporciona adentro o para entrar en contacto con con la superficie de la capa amorfa del silicio, seguida por el tratamiento de calor para cristalizar la capa amorfa del silicio, de tal modo formando un p-tipo capa polycrystalline del silicio. Esta capa polycrystalline del silicio crystallographically se orienta y tiene alta cristalinidad. Se utiliza la capa polycrystalline del silicio pues un cristal de semilla para formar un p-tipo capa polycrystalline del silicio que crystallographically se oriente y, en el mismo tiempo, tiene alta cristalinidad. Además, un yo-tipo capa polycrystalline del silicio y un n-tipo capa polycrystalline del silicio sucesivamente se forman en la capa polycrystalline del silicio. En virtud de la construcción antedicha, un dispositivo de semiconductor cristalino de la película fina del silicio, un dispositivo photovoltaic cristalino de la película fina del silicio, y un proceso para producir un dispositivo de semiconductor cristalino de la película fina del silicio pueden ser proporcionados que pueda realizar alta cristalinidad del silicio polycrystalline, de la orientación cristalográfica, de altas características, y de la productividad excelente.
