Light emitting device and method of manufacturing the same

   
   

To provide a light emitting device high in reliability with a pixel portion having high definition with a large screen. According to a light emitting device of the present invention, on an insulator (24) provided between pixel electrodes, an auxiliary electrode (21) made of a metal film is formed, whereby a conductive layer (20) made of a transparent conductive film in contact with the auxiliary electrode can be made low in resistance and thin. Also, the auxiliary electrode (21) is used to achieve connection with an electrode on a lower layer, whereby the electrode can be led out with the transparent conductive film formed on an EL layer. Further, a protective film (32) made of a film containing hydrogen and a silicon nitride film which are laminated is formed, whereby high reliability can be achieved.

Para proveer de un colmo ligero del dispositivo que emite en confiabilidad un pixel reparta tener alta definición con una pantalla grande. Según un dispositivo que emitía ligero de la actual invención, en un aislador (24) proporcionado entre los electrodos del pixel, se forma un electrodo auxiliar (21) hizo de una película del metal, por el que una capa conductora (20) hiciera de una película conductora transparente en contacto con el electrodo auxiliar pueda ser hecha punto bajo en resistencia y enrarecer. También, el electrodo auxiliar (21) se utiliza para alcanzar la conexión con un electrodo en una capa más baja, por el que el electrodo se pueda conducir hacia fuera con la película conductora transparente formada en una capa del EL. Además, una película protectora (32) hizo de una película que contenía el hidrógeno y se forma una película del nitruro de silicio se laminan que, por el que la alta confiabilidad pueda ser alcanzada.

 
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< Semiconductor device having first and second trenches with no control electrode formed in the second trench

< Grid metal design for large density CMOS image sensor

> Crystalline silicon thin film semiconductor device, crystalline silicon thin film photovoltaic device, and process for producing crystalline silicon thin film semiconductor device

> Insulated gate semiconductor device for realizing low gate capacity and a low short-circuit current

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