A new grid metal design for image sensors is disclosed which is comprised
of a semiconductor image sensor chip having a pixel region covering most
of the chip and a logic circuit region on the chip periphery. The pixel
region contains an array of image pixels where for each image pixel the
majority of its area is occupied by a light sensing element and the other
image pixel circuit elements are arranged in the periphery of the image
pixel without overlapping the image-sensing element. A number of metal
levels are of the first type, at which functional metal patterns exist
both for the chip peripheral logic circuits and for the pixel circuit
elements. A number of metal levels are of the second type, at which
functional metal patterns exist only for the chip peripheral logic
circuits and dummy metal patterns cover the pixel region except for the
light sensing elements. A first dielectric layer is disposed under the
first metal layer, an interlevel dielectric layer between metal levels of
either type and a passivation layer over the last metal level.
Een nieuw ontwerp van het netmetaal voor beeldsensoren wordt onthuld dat van een de sensorspaander samengesteld wordt die van het halfgeleiderbeeld een pixelgebied het grootste deel van de spaander behandelen en een gebied die van de logicakring op de spaanderperiferie heeft. Het pixelgebied bevat een serie van beeldpixel waar voor elk beeldpixel de meerderheid van zijn gebied door een licht ontdekkend element wordt bezet en de andere de kringselementen van het beeldpixel in de periferie van het beeldpixel zonder het beeld-ontdekkend element te overlappen worden geschikt. Een aantal metaalniveaus zijn van het eerste type, waarbij er functionele metaalpatronen zowel voor de kringen van de spaander randlogica als voor de elementen van de pixelkring bestaan. Een aantal metaalniveaus zijn van het tweede type, waarbij er functionele metaalpatronen slechts voor de kringen bestaan van de spaander randlogica en de proefmetaalpatronen het pixelgebied behalve de lichte ontdekkende elementen omvatten. Een eerste diëlektrische laag wordt geschikt onder de eerste metaallaag, een interlevel diëlektrische laag tussen metaalniveaus van één van beide type en een passiveringslaag over het laatste metaalniveau.
