A semiconductor detector of electromagnetic radiation which utilizes a
dual-purpose electrode which extends significantly beyond the edge of a
photodiode. This configuration reduces the sensitivity of device
performance on small misalignments between manufacturing steps while
reducing dark currents, kTC noise, and "ghost" images. The collection-mode
potential of the dual-purpose electrode can be adjusted to achieve charge
confinement and enhanced collection efficiency, reducing or eliminating
the need for an additional pinning layer. Finally, the present invention
enhances the fill factor of the photodiode by shielding the photon-created
charge carriers formed in the substrate from the potential wells of the
surrounding circuitry.
Um detetor do semicondutor da radiação eletromagnética que utiliza um elétrodo dual-purpose que estenda significativamente além da borda de um fotodiodo. Esta configuração reduz a sensibilidade do desempenho do dispositivo em misalignments pequenos entre etapas do manufacturing ao reduzir correntes escuras, ruído do kTC, e imagens do "ghost". O potencial da coleção-modalidade do elétrodo dual-purpose pode ser ajustado para conseguir o confinamento da carga e a eficiência realçada da coleção, reduzindo ou eliminando a necessidade para uma camada fixando adicional. Finalmente, a invenção atual realça o fator da suficiência do fotodiodo protegendo os portadores photon-criados da carga dados forma na carcaça dos poços potenciais dos circuitos circunvizinhos.
