A bipolar transistor includes an auxiliary diffusion region formed in the
base region having a conductivity type opposite to the base region and
being electrically coupled to the base region. Alternately, the auxiliary
diffusion region can be formed in the collector region where the auxiliary
diffusion region has a conductivity type opposite to the collector region
and is electrically coupled to the collector region. The auxiliary
diffusion region forms a secondary parasitic transistor in the bipolar
transistor having the effect of suppressing parasitic bipolar conduction
caused by a primary parasitic bipolar device associated with the bipolar
transistor.
Un transistore bipolare include una regione ausiliaria di diffusione formata nella regione bassa che ha un tipo di conducibilità di fronte alla regione bassa e che è accoppiata elettricamente alla regione bassa. Alternatamente, la regione ausiliaria di diffusione può essere formata nella regione di collettore dove la regione ausiliaria di diffusione ha un tipo di conducibilità di fronte alla regione di collettore ed elettricamente è accoppiata alla regione di collettore. La regione di diffusione dell'aiutante forma un transistore parassita secondario nel transistore bipolare che ha l'effetto di soppressione della conduzione bipolare parassita causata da un dispositivo bipolare parassita primario connesso con il transistore bipolare.
