Method of providing stability of a magnetic memory cell

   
   

The invention includes a method of providing magnetic stability of a memory cell. The memory cell is generally located proximate to a conductive line, and proximate to a write mechanism that can set a magnetic state of the memory cell. The method includes receiving a representation of a maximum magnetic field intensity available from the write mechanism. A desirable placement of the memory cell relative to the conductive line can be generated for providing stability of the memory cell, while still allowing the write mechanism to change the magnetic state of the memory cell.

Вымысел вклюает метод обеспечивать магнитную стабилность ячейкы памяти. Ячейкы памяти вообще обнаруженные местонахождение proximate к проводной линии, и proximate к механизму писания который может установить магнитное положение ячейкы памяти. Метод вклюает получать представление максимальной имеющейся интенсивности магнитного поля от механизма писания. Желательное размещение ячейкы памяти по отношению к проводной линии можно произвести для обеспечивать стабилность ячейкы памяти, пока все еще позволяющ механизм писания изменить магнитное положение ячейкы памяти.

 
Web www.patentalert.com

< Optical system with variable dispersion

< Magnetic memory configuration

> High reliable reference current generator for MRAM

> Power-on reset circuit and IC card

~ 00128