The invention includes a method of providing magnetic stability of a memory
cell. The memory cell is generally located proximate to a conductive line,
and proximate to a write mechanism that can set a magnetic state of the
memory cell. The method includes receiving a representation of a maximum
magnetic field intensity available from the write mechanism. A desirable
placement of the memory cell relative to the conductive line can be
generated for providing stability of the memory cell, while still allowing
the write mechanism to change the magnetic state of the memory cell.
Вымысел вклюает метод обеспечивать магнитную стабилность ячейкы памяти. Ячейкы памяти вообще обнаруженные местонахождение proximate к проводной линии, и proximate к механизму писания который может установить магнитное положение ячейкы памяти. Метод вклюает получать представление максимальной имеющейся интенсивности магнитного поля от механизма писания. Желательное размещение ячейкы памяти по отношению к проводной линии можно произвести для обеспечивать стабилность ячейкы памяти, пока все еще позволяющ механизм писания изменить магнитное положение ячейкы памяти.
