The present invention relates to a simplified reference current generator
for a magnetic random access memory. The reference current generator is
positioned in the vicinity of the memory cells of the magnetic random
access memory, and applies reference elements which are the same as the
magnetic tunnel junctions of the memory cell and bear the same cross
voltages. The plurality of reference elements are used for forming the
reference current generator by one or several bit lines, and the voltage
which is the same as the voltage of the memory cell is crossly connected
to the reference elements so as to generate a plurality of current
signals; and a peripheral IC circuit is used for generating the plurality
of midpoint reference current signals and judging the data states. Thanks
to the midpoint current reference signals, the multiple-states memory
cell, including the 2-states memory cell, can read data more accurately.
La présente invention concerne un générateur courant simplifié de référence pour une mémoire à accès sélective magnétique. Le générateur courant de référence est placé à proximité des cellules de mémoire de la mémoire à accès sélective magnétique, et applique les éléments de référence qui sont identiques que les jonctions magnétiques de tunnel de la cellule de mémoire et soutiennent les mêmes tensions en travers. La pluralité d'éléments de référence sont employées pour former le générateur courant de référence par on ou plusieurs ont mordu des lignes, et la tension qui est identique que la tension de la cellule de mémoire est en travers reliée aux éléments de référence afin de produire d'une pluralité de signaux courants ; et un circuit périphérique d'IC est utilisé pour produire de la pluralité de signaux courants de référence de point médian et juger les états de données. Grâce à la référence courante de point médian signale, la cellule de mémoire d'multiple-états, y compris la cellule de mémoire 2-states, données lues de bidon plus exactement.
