A magnetic memory configuration stores data and avoids ageing effects. The
memory configuration contains a cell array containing magnetic memory
cells disposed along a first direction and a second direction crossing the
former, a multiplicity of electrical lines along the first direction, and
a multiplicity of electrical lines along the second direction. The
magnetic memory cells in each case are disposed at crossover points of the
electrical lines. A first current supply device supplies respectively
selected electrical lines along the first direction with current. A second
current supply device supplies respectively selected electrical lines
along the second direction with current. The second current supply device
is configured for setting the direction of the current in accordance with
an information item to be written. The first current supply device is
suitable for changing over the direction of the current as desired.
Een magnetische geheugenconfiguratie slaat gegevens op en vermijdt verouderend gevolgen. De geheugenconfiguratie bevat een celserie die magnetische geheugencellen bevat die langs een eerste richting en een tweede richting worden geschikt die de eerstgenoemden, een multipliciteit van elektrolijnen langs de eerste richting, en een multipliciteit van elektrolijnen langs de tweede richting kruisen. De magnetische geheugencellen in elk geval worden geschikt op oversteekplaatspunten van de elektrolijnen. Levering van een selecteerde de eerste huidige leveringsapparaat respectievelijk elektrolijnen langs de eerste richting met stroom. Levering van een selecteerde de tweede huidige leveringsapparaat respectievelijk elektrolijnen langs de tweede richting met stroom. Het tweede huidige leveringsapparaat wordt gevormd voor het plaatsen van de richting van de stroom overeenkomstig een te schrijven informatiepunt. Het eerste huidige leveringsapparaat is geschikt om over de richting van de stroom te veranderen zoals gewenst.
