A semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor
device with a self-aligned contact, is described. A first conductor and a
second conductor are formed on the surface of the semiconductor substrate.
The first conductor and the second conductor are encapsulated with a first
encapsulation and a second encapsulation, respectively. The first
encapsulation and the second encapsulation contain titanium oxide, boron
nitride, silicon carbide, magnesium oxide or carbon. The first
encapsulation and the second encapsulation are suitable as a self-aligning
etch mask for etching a self-aligned contact hole between the first
conductor and the second conductor.
Un dispositif de semi-conducteur et une méthode pour fabriquer le dispositif de semi-conducteur avec un art de l'auto-portrait-aligned entrent en contact, est décrit. Un premier conducteur et un deuxième conducteur sont formés sur la surface du substrat de semi-conducteur. Le premier conducteur et le deuxième conducteur sont encapsulés avec une première encapsulation et une deuxième encapsulation, respectivement. La première encapsulation et la deuxième encapsulation contiennent l'oxyde de titane, la nitrure de bore, le carbure de silicium, l'oxyde de magnésium ou le carbone. La première encapsulation et la deuxième encapsulation conviennent car un masque gravure à l'eau forte de art de l'auto-portrait-aligning pour graver à l'eau-forte un trou de contact de art de l'auto-portrait-aligned entre le premier conducteur et le deuxième conducteur.
