Described is a semiconductor laser for generating an optical beam having a
stable polarization mode. The laser includes a semiconductor structure
having an active layer and a stressor disposed on the surface of the
semiconductor structure. Birefringence and gain anisotropy are induced in
the semiconductor structure in response to the stress applied by the
stressor. The active layer includes one or more quantum wells fabricated
to generate an interfacial strain and a desired gain anisotropy. By
fabricating the active layer away from the stressor, the gain anisotropy
induced by the stressor is substantially reduced. Consequently, the gain
anisotropy from the interfacial stress is greater than the gain anisotropy
induced by the stressor. The resulting semiconductor structure has a
maximum refractive index direction that is parallel to the direction of
maximum gain, thus enabling a stable polarization mode for the laser.
Se describe un laser del semiconductor para generar una viga óptica que tiene un modo estable de la polarización. El laser incluye una estructura del semiconductor que tiene una capa activa y un stressor dispuestos en la superficie de la estructura del semiconductor. El anisotropy de la birrefringencia y del aumento se induce en la estructura del semiconductor en respuesta a la tensión aplicada por el stressor. La capa activa incluye unos o más pozos del quántum fabricados para generar una tensión diedra y un anisotropy deseado del aumento. Fabricando la capa activa ausente del stressor, el anisotropy del aumento inducido por el stressor es reducido substancialmente. Por lo tanto, el anisotropy del aumento de la tensión diedra es mayor que el anisotropy del aumento inducido por el stressor. La estructura del semiconductor que resulta tiene una dirección del índice de refracción del máximo que sea paralela a la dirección del aumento máximo, así el permitir de un modo estable de la polarización para el laser.
