In a first aspect, a method is provided that includes (1) forming a first
barrier layer over the sidewalls and bottom of a via using atomic layer
deposition within an atomic layer deposition (ALD) chamber; (2) removing
at least a portion of the first barrier layer from the bottom of the via
by sputter etching; and (3) depositing a second barrier layer on the
sidewalls and bottom of the via within the ALD chamber. Numerous other
embodiments are provided, as are systems, methods and computer program
products in accordance with these and other aspects.
En un primer aspecto, un método está a condición de que incluye (1) formando una primera capa de barrera sobre los flancos y el fondo de a vía usar la deposición atómica de la capa dentro de un compartimiento atómico de la deposición de la capa (ALD); (2) quitando por lo menos una porción de la primera capa de barrera del fondo del vía cerca farfulla la aguafuerte; y (3) depositando una segunda capa de barrera en los flancos y el fondo del vía dentro del compartimiento de ALD. Numeroso se proporcionan otras encarnaciones, al igual que sistemas, los métodos y los productos del programa de computadora de acuerdo con éstos y otros aspectos.
