Method of forming contacts, methods of contacting lines, methods of operating integrated circuitry, and integrated circuits

   
   

Methods of forming contacts, methods of contacting lines, methods of operating integrated circuitry, and related integrated circuitry constructions are described. In one embodiment, a plurality of conductive lines are formed over a substrate and diffusion regions are formed within the substrate elevationally below the lines. The individual diffusion regions are disposed proximate individual conductive line portions and collectively define therewith individual contact pads with which electrical connection is desired. Insulative material is formed over the conductive line portions and diffusion regions, with contact openings being formed therethrough to expose portions of the individual contact pads. Conductive contacts are formed within the contact openings and in electrical connection with the individual contact pads. In a preferred embodiment, the substrate and diffusion regions provide a pn junction which is configured for biasing into a reverse-biased diode configuration. In operation, the pn junction is sufficiently biased to preclude electrical shorting between the conductive line and the substrate for selected magnitudes of electrical current provided through the conductive line and the conductive material forming the conductive contacts.

Os métodos de dar forma a contatos, os métodos de contatar linhas, os métodos de operar circuitos integrados, e as construções integradas relacionadas dos circuitos são descritos. Em uma incorporação, um plurality de linhas condutoras é dado forma sobre uma carcaça e as regiões da difusão são dadas forma dentro da carcaça elevationally abaixo das linhas. As regiões individuais da difusão são linha condutora individual proximate disposta parcelas e definem coletivamente as almofadas therewith individuais do contato com que a conexão elétrica é desejada. O material de Insulative é dado forma sobre a linha condutora parcelas e regiões da difusão, com as aberturas do contato que estão sendo dadas forma therethrough para expo parcelas das almofadas individuais do contato. Os contatos condutores são dados forma dentro das aberturas do contato e na conexão elétrica com as almofadas individuais do contato. Em uma incorporação preferida, as regiões da carcaça e da difusão fornecem uma junção do pn que seja configurarada inclinando em uma configuração reverse-biased do diodo. Na operação, a junção do pn é inclinada suficientemente para impossibilitar shorting elétrico entre a linha condutora e a carcaça para os valores selecionados da corrente elétrica fornecidos através da linha condutora e o material condutor que dá forma aos contatos condutores.

 
Web www.patentalert.com

< Semiconductor device including a gate-insulated transistor

< Semiconductor device

> Semiconductor device, a method of manufacturing the semiconductor device and a method of deleting information from the semiconductor device

> Non-volatile semiconductor memory device having memory cell array suitable for high density and high integration

~ 00128