A semiconductor device comprises a first transistor 38a having a first gate
electrode 22; a second transistor 38b having a second gate electrode 34
which is different from the first gate electrode; an insulation film 28
formed between the first gate electrode and the second gate electrode; and
an interconnection electrode 44 buried in a concavity 42 formed in the
first gate electrode, the second gate electrode and the insulation film
and electrically interconnecting the first gate electrode and the second
gate electrode. The interconnection electrode is buried in the concavity
formed in the first gate electrode, the second gate electrode and the
insulation film, and the interconnection electrodes electrically
interconnects the first gate electrode and the second gate electrode,
whereby the semiconductor device can have high integration and can be
reliable.
Un dispositivo a semiconduttore contiene un primo transistore 38a che ha un primo elettrodo di cancello 22; un secondo transistore 38b che ha un secondo elettrodo di cancello 34 che è differente dal primo elettrodo di cancello; una pellicola 28 dell'isolamento ha formato fra il primo elettrodo di cancello ed il secondo elettrodo di cancello; e un elettrodo 44 di interconnessione ha sepolto in una concavità 42 formata nel primo elettrodo di cancello, nel secondo elettrodo di cancello e nella pellicola dell'isolamento ed elettricamente nel collegamento il primo elettrodo di cancello e del secondo elettrodo di cancello. L'elettrodo di interconnessione è sepolto nella concavità formata nel primo elettrodo di cancello, nel secondo elettrodo di cancello e nella pellicola dell'isolamento e gli elettrodi di interconnessione collega elettricamente il primo elettrodo di cancello ed il secondo elettrodo di cancello, per cui il dispositivo a semiconduttore può avere alta integrazione e può essere certo.
