The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor
device comprising an insulating layer that includes a seed layer formed on
a substrate. The seed layer is formed by removing hydrogen forming the
substrate, depositing a seed layer precursor and exposing the precursor to
excited atoms to form a seed layer on the substrate.
Присытствыющий вымысел обеспечивает метод для изготовлять прибора на полупроводниках состоя из изолируя слоя вклюает слой семени сформированный на субстрате. Слой семени сформирован путем извлекать водопод формируя субстрат, депозируя прекурсор слоя семени и подвергая действию прекурсор к возбуженным атомам для того чтобы сформировать слой семени на субстрате.
