Stress-induced photoelastic birefringence compensates for intrinsic
birefringence of cubic crystalline structures in deep ultraviolet (less
than 200 nm) microlithographic imaging systems. Both the photoelastic
birefringence and the intrinsic birefringence are expressed in a tensor
format simplified by the symmetries of cubic crystalline structures. The
stress-induced photoelastic birefringence can be sized to individually
compensate for intrinsic birefringence exhibited in the same optical
elements or preferably to collectively compensate for the cumulative
effects of intrinsic birefringence in other optical elements in the
lithography system.
Stress-induced photoelastic Doppelbrechung entschädigt tatsächliche Doppelbrechung der kristallenen Kubikstrukturen in den tiefen ultravioletten (weniger als 200 nm) microlithographic Belichtung Systemen. werden die photoelastic Doppelbrechung und die tatsächliche Doppelbrechung in einem Spannerformat ausgedrückt, das durch die Symmetrie der kristallenen Kubikstrukturen vereinfacht wird. Die stress-induced photoelastic Doppelbrechung kann sortiert werden, um die tatsächliche Doppelbrechung einzeln zu entschädigen, die in den gleichen optischen Elementen oder die kumulativen Effekte der tatsächlichen Doppelbrechung in anderen optischen Elementen im Lithographiesystem vorzugsweise zusammen zu entschädigen ausgestellt wird.
