This invention is a photovoltaic device comprising an intrinsic or i-layer
of amorphous silicon and where the photovoltaic device is more efficient
at converting light energy to electric energy at high operating
temperatures than at low operating temperatures. The photovoltaic devices
of this invention are suitable for use in high temperature operating
environments.
Diese Erfindung ist eine photo-voltaische Vorrichtung, die einen Intrinsic oder eine Ichschicht vom formlosen Silikon enthält und wo die photo-voltaische Vorrichtung am Umwandeln der hellen Energie in elektrische Energie bei den hohen Betriebstemperaturen als bei den niedrigen Betriebstemperaturen leistungsfähiger ist. Die photo-voltaischen Vorrichtungen dieser Erfindung sind für Gebrauch in den Hochtemperaturbetriebsumgebungen verwendbar.
