A planarization process for filling spaces between patterned metal features
formed over a surface of a semiconductor substrate. The patterned metal
features are preferably coated with a dielectric barrier. The dielectric
barrier is coated with an material that expands during oxidation or
nitridization to a thickness about half the depth of the space between
metallized features. The layer is then plasma oxidized using an RF or ECR
plasma at low temperature with an oxygen ambient. Alternatively, the layer
is plasma nitridized at low temperature. The plasma oxidation or
nitridization is continued until the expandable material is converted to a
dielectric and has expanded to fill the space between patterned metal
features. Optionally, the process can be followed by a mechanical or
chemical mechanical planarization step.
Un procédé de planarization pour remplir espaces entre les dispositifs modelés en métal a formé au-dessus d'une surface d'un substrat de semi-conducteur. Les dispositifs modelés en métal sont de préférence enduits d'une barrière diélectrique. La barrière diélectrique est enduite d'un matériel qui augmente pendant l'oxydation ou le nitridization à une épaisseur au sujet de moitié de la profondeur de l'espace entre les dispositifs métallisés. La couche est alors plasma oxydé en utilisant un plasma de rf ou de caisse enregistrrice électroniqîche à la basse température avec un oxygène ambiant. Alternativement, la couche est plasma nitridized à la basse température. L'oxydation ou le nitridization de plasma est continuée jusqu'à ce que le matériel extensible soit converti en diélectrique et ait augmenté pour remplir espace entre les dispositifs modelés en métal. Sur option, le processus peut être suivi d'une étape mécanique mécanique ou chimique de planarization.
