Variable flow deposition apparatus and method in semiconductor substrate processing

   
   

In one embodiment of the present inventions, an exhaust outlet in a vacuum processing chamber includes a nonsealing flow restrictor which can facilitate rapid opening and closing of the flow restrictor in some applications. Because the flow restrictor is a nonsealing flow restrictor, the conductance of the flow restrictor in the closed position may not be zero. However, the flow restrictor can restrict the flow of an exhaust gas from the chamber to permit the retention of sufficient processing gas in the chamber to deposit a film on the substrate or otherwise react with the substrate. After a film has been deposited, typically in a thin atomic layer, the exhaust flow restrictor may be opened such that the flow restrictor conductance is significantly increased to a second, higher flow rate to facilitate exhausting residue gas from the chamber. The nonsealing flow restrictor may be closed again to deposit a second layer, typically of a different material onto the substrate. The nonsealing flow restrictor may be rapidly opened and closed to deposit alternating layers of a variety of materials onto the substrate.

In één belichaming van de onderhavige uitvindingen, omvat een uitlaatafzet in een vacuümverwerkingskamer nonsealing stroomrestrictor die het snelle openen en het sluiten van stroomrestrictor in sommige toepassingen kan vergemakkelijken. Omdat stroomrestrictor nonsealing stroomrestrictor is, kan het geleidingsvermogen van stroomrestrictor in de gesloten positie geen nul zijn. Nochtans, stroom kan restrictor de stroom van een uitlaatgas van de kamer beperken om het behoud van voldoende verwerkingsgas in de kamer toe te laten om een film op het substraat te deponeren of anders met het substraat te reageren. Nadat een film, typisch in een dunne atoomlaag is gedeponeerd, kan restrictor van de uitlaatstroom worden geopend dusdanig dat het stroomrestrictor geleidingsvermogen beduidend tot een tweede, hoger stroomtarief wordt verhoogd om uitputtend residugas van de kamer te vergemakkelijken. Nonsealing stroomrestrictor kan worden gesloten opnieuw om een tweede laag, typisch van een verschillend materiaal op het substraat te deponeren. Nonsealing stroomrestrictor kan snel aan stortings afwisselende lagen van een verscheidenheid van materialen op het substraat worden geopend en worden gesloten.

 
Web www.patentalert.com

< Nitride pedestal for raised extrinsic base HBT process

< Planarization using plasma oxidized amorphous silicon

> Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication

> X-point memory cell

~ 00129