A memory cell and a method of fabricating the memory cell having a small
active area. By forming a spacer in a window that is sized at the
photolithographic limit, a pore may be formed in dielectric layer which is
smaller than the photolithographic limit. Electrode material is deposited
into the pore, and a layer of structure changing material, such as
chalcogenide, is deposited onto the lower electrode, thus creating a
memory element having an extremely small and reproducible active area.
Ячейкы памяти и метод изготовлять ячейкы памяти имея малую активно область. Путем формировать прокладку в окне определено размер на photolithographic пределе, пора может быть сформирована в диэлектрическом слое который более мал чем photolithographic предел. Материал электрода депозирован в пору, и слой материала структуры изменяя, such as chalcogenide, депозирован на более низкий электрод, таким образом создающ элемент памяти имея весьма малую и возпроизводимую активно область.
