X-point memory cell

   
   

A memory cell and a method of fabricating the memory cell having a small active area. By forming a spacer in a window that is sized at the photolithographic limit, a pore may be formed in dielectric layer which is smaller than the photolithographic limit. Electrode material is deposited into the pore, and a layer of structure changing material, such as chalcogenide, is deposited onto the lower electrode, thus creating a memory element having an extremely small and reproducible active area.

Ячейкы памяти и метод изготовлять ячейкы памяти имея малую активно область. Путем формировать прокладку в окне определено размер на photolithographic пределе, пора может быть сформирована в диэлектрическом слое который более мал чем photolithographic предел. Материал электрода депозирован в пору, и слой материала структуры изменяя, such as chalcogenide, депозирован на более низкий электрод, таким образом создающ элемент памяти имея весьма малую и возпроизводимую активно область.

 
Web www.patentalert.com

< Variable flow deposition apparatus and method in semiconductor substrate processing

< Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication

> Liquid crystal display device and method of forming the same

> Vertically-stacked, field-programmable, nonvolatile memory and method of fabrication

~ 00129