A three-dimensional, field-programmable, non-volatile memory includes
multiple layers of first and second crossing conductors. Pillars are
self-aligned at the intersection of adjacent first and second crossing
conductors, and each pillar includes at least an anti-fuse layer. The
pillars form memory cells with the adjacent conductors, and each memory
cell includes first and second diode components separated by the anti-fuse
layer. The diode components form a diode only after the anti-fuse layer is
disrupted.
Una memoria tridimensionale, field-programmable, non volatile include gli strati multipli di in primo luogo ed i secondi conduttori dell'incrocio. Le colonne auto-sono allineate all'intersezione dei primi e secondi conduttori adiacenti dell'incrocio ed ogni colonna include almeno anti-fonde lo strato. Le colonne formano le cellule di memoria con i conduttori adiacenti ed ogni cellula di memoria include in primo luogo ed i secondi componenti del diodo separati dal anti-fondono lo strato. La forma che dei componenti del diodo un diodo solo dopo anti-fonde lo strato si interrompe.
