A very high density field programmable memory is disclosed. An array is
formed vertically above a substrate using several layers, each layer of
which includes vertically fabricated memory cells. The cell in an N level
array may be formed with N+1 masking steps plus masking steps needed for
contacts. Maximum use of self alignment techniques minimizes
photolithographic limitations. In one embodiment the peripheral circuits
are formed in a silicon substrate and an N level array is fabricated above
the substrate.
Se divulga una memoria programable del campo muy de alta densidad. Un arsenal se forma verticalmente sobre un substrato usando varias capas, cada capa de las cuales incluye las células de memoria verticalmente fabricadas. La célula en un arsenal del nivel de N se puede formar con los pasos que enmascaran N+1 más los pasos que enmascaran necesitados para los contactos. El uso máximo de las técnicas de alineación del uno mismo reduce al mínimo limitaciones photolithographic. En una encarnación los circuitos periféricos se forman en un substrato del silicio y un arsenal del nivel de N se fabrica sobre el substrato.
