A method of forming a silicon carbide layer, a silicon nitride layer, an
organosilicate layer is disclosed. The silicon carbide layer is formed by
reacting a gas mixture comprising a silicon source, a carbon source, and a
fluorine source in the presence of an electric field. The silicon nitride
layer is formed by reacting a gas mixture comprising a silicon source, a
nitrogen source, and a fluorine source in the presence of an electric
field. The organosilicate layer is formed by reacting a gas mixture
comprising a silicon source, a carbon source, an oxygen source and a
fluorine source in the presence of an electric field. The silicon carbide
layer, the silicon nitride layer and the organosilicate layer are all
compatible with integrated circuit fabrication processes.
Un metodo di formare uno strato del carburo del silicone, uno strato del nitruro di silicio, uno strato del organosilicate è rilevato. Lo strato del carburo del silicone è costituito dalla reazione della miscela del gas che contiene una fonte del silicone, una fonte del carbonio e una fonte del fluoro in presenza di un campo elettrico. Lo strato del nitruro di silicio è costituito dalla reazione della miscela del gas che contiene una fonte del silicone, una fonte dell'azoto e una fonte del fluoro in presenza di un campo elettrico. Lo strato del organosilicate è costituito dalla reazione della miscela del gas che contiene una fonte del silicone, una fonte del carbonio, una fonte dell'ossigeno e una fonte del fluoro in presenza di un campo elettrico. Lo strato del carburo del silicone, lo strato del nitruro di silicio e lo strato sono tutto del organosilicate compatibili con i processi di montaggio del circuito integrato.
