A memory device is provided with a structure for improved transmission line
operation on integrated circuits. The structure for transmission line
operation includes a first layer of electrically conductive material on a
substrate. A first layer of insulating material is formed on the first
layer of the electrically conductive material. A number of high
permeability metal lines are formed on the first layer of insulating
material. The number of high permeability metal lines includes composite
hexaferrite films. A number of transmission lines is formed on the first
layer of insulating material and between and parallel with the number of
high permeability metal lines. A second layer of insulating material is
formed on the transmission lines and the high permeability metal lines.
The structure for transmission line operation includes a second layer of
electrically conductive material on the second layer of insulating
material.
Un dispositivo de memoria se proporciona una estructura para la línea mejorada operación de la transmisión en los circuitos integrados. La estructura para la línea operación de la transmisión incluye una primera capa de material eléctricamente conductor en un substrato. Una primera capa de material aislador se forma en la primera capa del material eléctricamente conductor. Un número de altas líneas del metal de la permeabilidad se forman en la primera capa de material aislador. El número de las altas líneas del metal de la permeabilidad incluye las películas compuestas del hexaferrite. Un número de líneas de la transmisión se forman en la primera capa del material aislador y en medio y del paralelo al número de las altas líneas del metal de la permeabilidad. Una segunda capa de material aislador se forma en las líneas de la transmisión y las altas líneas del metal de la permeabilidad. La estructura para la línea operación de la transmisión incluye una segunda capa de material eléctricamente conductor en la segunda capa de material aislador.
