A method and a structure for a parasitic bipolar silicided ESD device that
has high resistivity regions within the collector of the parasitic NPN.
The device has the structure of a N-MOS transistor and a substrate
contact. The device preferably has silicide regions over the doped
regions. The invention has two types of high resistivity regions: 1)
isolation regions (e.g., oxide shallow trench isolation (STI)) and 2)
undoped or lightly doped regions (e.g., channel regions). The channel
regions can have gates thereover and the gates can be charged. Also,
optionally a n.sup.- well (n minus well) can be formed under the
collector. The high resistivity regions increase the collector resistivity
thereby improving the performance of the parasitic bipolar ESD device.
Een methode en een structuur voor parasitische bipolair silicided ESD apparaat dat hoge weerstandsvermogengebieden binnen de collector van parasitische NPN heeft. Het apparaat heeft de structuur van een N-MOS transistor en een substraatcontact. Het apparaat heeft silicide bij voorkeur gebieden over de gesmeerde gebieden. De uitvinding heeft twee types van hoge weerstandsvermogengebieden: 1) isolatiegebieden (b.v., isolatie van de oxyde de ondiepe geul (STI)) en 2) undoped of licht gesmeerde gebieden (b.v., kanaalgebieden). De kanaalgebieden kunnen poorten hebben thereover en de poorten kunnen worden geladen. Ook, naar keuze een n.sup. - goed (n minus goed) kan onder de collector worden gevormd. De hoge weerstandsvermogengebieden verhogen het collectorweerstandsvermogen daardoor verbeterend de prestaties van het parasitische bipolaire ESD apparaat.
